Изменения пьезорезистивного эффекта легированного Si< Mg,Zn>
QR kod:
Yuklab olishlar
В настоящей работе изучены механизмы усиления пьезорезистивного отклика монокристаллического кремния (Si) за счёт введения глубоких примесных уровней Mg и Zn. С помощью методов DLTS и ёмкостного анализа (C–V) обнаружены четыре дискретных энергетических уровня (0,03; 0,09; 0,16; 0,84 эВ), которые при комнатной температуре формируют узкие «хвосты» плотности состояний (ПС) в запретной зоне. Проведённые деформационные эксперименты (ε = ±0,3 %) показали, что смещение этих «хвостов» под нагрузкой приводит к более интенсивному перераспределению носителей заряда и, как следствие, к росту коэффициента пьезорезистивного эффекта (КПРЭ) до 35 %. Легирование Mg обеспечивает основной вклад за счёт глубокого уровня у дна зоны проводимости, тогда как Zn-уровни оптимизируют баланс дырочных состояний, подавляя нежелательную компенсацию.
